Samsung - DDR4 - Modul - 128 GB - LRDIMM 288-polig - 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V Load-Reduced ECC

Für Rechenzentren und Hochleistungs-Computing-Umgebungen, in denen Speicherdichte und Zuverlässigkeit unerlässlich sind, hebt sich dieses Samsung 128GB LRDIMM von typischen RDIMMs ab, indem es Load-Reduced-Technologie verwendet, um die Buslast zu minimieren und höhere Kapazitäten pro Kanal zu ermöglichen. Basierend auf Samsungs fortschrittlichem DRAM-Prozess liefert das M386AAG40BM3-CWE eine Quad-Rank-Kapazität von 128 GB bei 3200 MHz mit ECC und ist damit ein Eckpfeiler für Virtualisierung, In-Memory-Datenbanken und große Serverbereitstellungen.

Highlights

• Massive 128-GB-Kapazität in einem einzigen Modul – die vierfache Dichte von Standard-32-GB-DIMMs
• Load-Reduced-DIMM-Architektur (LRDIMM) reduziert die elektrische Last auf dem Speicherbus und ermöglicht mehr Module pro Server
• DDR4-3200 (PC4-25600) Geschwindigkeit mit CL22-Latenz balanciert hohe Bandbreite und niedrigen Stromverbrauch
• ECC (Error-Correcting Code) erkennt und korrigiert Einzelbitfehler und gewährleistet Datenintegrität für unternehmenskritische Workloads
• Quad-Rank-Design (4Rx4) mit 288-Pin-Formfaktor, konform mit JEDEC-Standards für nahtlose Integration
• Niedrige Betriebsspannung von 1,2 V verbessert die Energieeffizienz im Vergleich zu DDR3 der vorherigen Generation

Im täglichen Einsatz

Die Installation dieses Moduls in einem Server oder einer Workstation erweitert sofort den Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen wie SAP HANA, VMware ESXi oder große Analysen. Das Load-Reduced-Design ermöglicht es, alle Speicherkanäle zu bestücken, ohne die Geschwindigkeit zu opfern, sodass Sie maximale Speicherbandbreite und -kapazität gleichzeitig erreichen. Da es ECC-registriert ist, bietet es eine zusätzliche Schutzschicht gegen Datenkorruption, die für Finanztransaktionen, wissenschaftliches Rechnen und 24/7-Betrieb unerlässlich ist. Die 3200-MHz-Geschwindigkeit gewährleistet reibungsloses Multitasking und schnellen Datenzugriff, während die 1,2-V-Leistungsaufnahme thermische und Energiekosten in Grenzen hält.

Vollständige Spezifikationen

• Marke: Samsung
• Modell: M386AAG40BM3-CWE
• Speicherkapazität: 128 GB
• Speichertyp: DDR4 SDRAM
• Modultyp: LRDIMM (Load-Reduced DIMM)
• Formfaktor: 288-poliges DIMM
• Speichergeschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600)
• Spannung: 1,2 V
• Fehlerkorrektur: ECC
• Pufferungstyp: Load-Reduced
• Rank: Quad Rank (4Rx4)
• CAS-Latenz: CL22
• Modulkonfiguration: 1 x 128 GB
• Anwendung: Server / Workstation
• Kompatibilität: Entwickelt für Server und Hochleistungs-Workstations, die LRDIMM-Speicher benötigen

Abschließende Anmerkung

Wenn Sie unnachgiebige Kapazität und Zuverlässigkeit benötigen, ist das Samsung M386AAG40BM3-CWE die professionelle Wahl, um Ihre speicherintensive Infrastruktur ohne Kompromisse zu skalieren.