Samsung DDR3 - Modul - 8 GB - DIMM 240-PIN

Samsung Computing DRAM

Die richtige Speicherlösung kann einer Ihrer wichtigsten Wettbewerbsvorteile sein. Samsung ist führend in der Branche mit modernster DRAM-Technologie, einschließlich DDR2, DDR3 – und bald auch DDR4 – um den Erfolg Ihrer Designs zu steigern. Nutzen Sie Samsungs schnellsten und leistungsstärksten DDR3-Speicher noch heute mit einem Dual-Channel-128-Bit-Speichermodul, um einen Durchsatz von mehr als 25,6 GB/s zu ermöglichen.

Steigende Anforderungen an Energieeffizienz erfüllen

Unsere neueste Generation an Computing DRAM bietet eine herausragende Kombination aus Geschwindigkeit und Effizienz. Dedizierte On-Board-Energieverwaltungsfunktionen helfen, den Stromverbrauch während Leerlaufzyklen zu reduzieren.

Energieeffizienz kann zu großen Kosteneinsparungen für Server- und Desktop-Umgebungen, einer langen Akkulaufzeit für Notebook-Nutzer und einem kleinen CO2-Fußabdruck führen. Samsung Computing DRAM-Lösungen steigern die Wettbewerbsfähigkeit mit Funktionen, die Ihnen Folgendes ermöglichen:

- Profitieren Sie von unserer extrem stromsparenden Speichertechnologie mit 30-nm-Klasse, 1,35 V, 2 GB DDR3.
- Erzielen Sie Energieeinsparungen von bis zu 67 Prozent mit Samsungs neuesten 20-nm-Klasse DDR3-Lösungen im Vergleich zu bestehenden 50-nm-Klasse DDR3.
- Betrieb mit Spannungen von nur 1,2 V, während mit dem kommenden DDR4-Speicher nahezu die doppelte Bandbreite von DDR3 ermöglicht wird.

Erwecken Sie fortschrittliche Produktlösungen zum Leben

Die Möglichkeiten für DRAM-Speicher sind riesig und umfassen nahezu jedes Gerät, das vernetzt und miteinander verbunden werden kann. Samsung Computing DRAM bietet eine breite Palette an Designvorteilen, darunter:

- Taktraten von über 1 GHz, die Datenraten von bis zu 1.866 MB/s ermöglichen, um die heutigen High-End- und Hochgeschwindigkeitsprozessoren zu unterstützen.
- Sehr niedrige Betriebsspannungen, die helfen, den Stromverbrauch erheblich zu senken und die nutzbare Dauer batteriebetriebener Geräte zu verlängern.
- Zunehmend dichte Fertigung (wie das neueste 20-nm-DDR3), wodurch die Anzahl der Chips im Endprodukt minimiert und Platinenfläche zurückgewonnen wird, die sonst von Chips der vorherigen Generation belegt würde.
- Integrierte Mechanismen wie DQ-Shielding, Selbstkalibrierung und Fly-By-Topologie für verbesserte Signalkontrolle.

Samsungs Expertise im Bereich Halbleiterspeicher und die Erfahrung in der Bereitstellung von Speichertechnologien der nächsten Generation treiben das Design von Geräten und Anwendungen wie ultradünnen Laptops mit verlängerter Akkulaufzeit voran.
Auch cloudoptimierte Server profitieren stark von Samsung Computing DRAM.

Samsung 8GB DDR3 SDRAM. Komponente für: PC/Server, Interner Speicher: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Formfaktor: 240-polig DIMM, CAS-Latenz: 11, ECC