Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe 3D NAND SSD

Die Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe SSD überzeugt mit ihrer PCIe-Gen4-x4-Schnittstelle und erreicht sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 3500 MB/s – fast die doppelte Bandbreite von Gen3-Laufwerken – und bleibt dabei abwärtskompatibel. Basierend auf 3D-TLC-NAND und einem Maxio-MAP1202-Controller bietet sie hohe Leistung und Ausdauer für anspruchsvolle Arbeitslasten.

Highlights

• 512GB Kapazität für Betriebssystem, Anwendungen und hochauflösende Medien
• M.2-2280-Formfaktor passt in Ultrabooks, Desktops und Gaming-Rigs
• NVMe-1.4-Protokoll mit Host Memory Buffer (HMB) reduziert Latenzzeiten
• Bis zu 300.000 zufällige Lese-IOPS für flottes Multitasking
• 250 TBW und 1,5 Millionen Stunden MTBF für langfristige Zuverlässigkeit

Im täglichen Gebrauch

Bootzeiten schrumpfen auf Sekunden, und große Dateiübertragungen sind deutlich schneller als bei SATA- oder Gen3-Alternativen. Das Laufwerk bleibt dank effizientem Energiemanagement auch unter Dauerlast kühl – nur 3,5 W maximal beim Lesen. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung halten die Leistung über die Zeit konstant, während ECC Fehler sofort korrigiert.

Technische Daten im Überblick

• Kapazität: 512 GB
• Schnittstelle: PCIe Gen4 x4
• NVMe-Version: 1.4
• Formfaktor: M.2 2280
• NAND-Flash-Typ: 3D TLC
• Controller: Maxio MAP1202
• Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: bis zu 3500 MB/s
• Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: bis zu 2600 MB/s
• Zufällige Lese-IOPS (4KB): bis zu 300.000
• Zufällige Schreib-IOPS (4KB): bis zu 400.000
• TBW-Bewertung: 250 TB
• MTBF: 1.500.000 Stunden
• Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
• Lagertemperatur: -40°C bis 85°C
• Leistungsaufnahme (Lesen): 3,5 W max
• Leistungsaufnahme (Schreiben): 3,2 W max
• Leistungsaufnahme (Leerlauf): 0,3 W typ
• Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, HMB

Abschließender Hinweis

Für Nutzer, die von älteren Speichermedien aufrüsten, bietet die Hiksemi Future 512GB einen spürbaren Geschwindigkeitsschub, ohne das Budget zu sprengen – ideal für Gaming, Content-Erstellung oder den täglichen Produktivitätseinsatz.