G.Skill | Value | 8 GB | DDR3 | 1333 MHz | PC/server | Registered No | ECC No

Das G.Skill DDR3 8 GB 1333 MHz Arbeitsspeichermodul bietet 8 GB ungepufferten DDR3-RAM im 240-Pin-DIMM-Formfaktor, arbeitet mit einer Taktfrequenz von 1333 MHz und einer Nennspannung von 1,5 V bei CAS-Latenz 5. Es ist für den Einbau in kompatible Desktop-Motherboards und Systeme vorgesehen, die DDR3 240-Pin-DIMM-Module aufnehmen.

Vorteile

Dieses ungepufferte DDR3-Modul bietet ein ausgewogenes Verhältnis von Kapazität und Frequenz, das für den allgemeinen Desktop-Einsatz geeignet ist. Die 8 GB Kapazität unterstützt Multitasking und speicherintensive Anwendungen, während die Taktfrequenz von 1333 MHz und die CL5-Latenz vorhersehbare Zeitverhalten bieten. Der standardmäßige 240-Pin-DIMM-Formfaktor gewährleistet Kompatibilität mit einer Vielzahl von Motherboards, die für DDR3-Speicher ausgelegt sind.

Geeignet für

• Aufrüstung von Desktop-PCs, die DDR3 240-Pin-DIMM-Speicher unterstützen
• Allgemeines Multitasking und Büroanwendungen
• Heim- und Kleinbürosysteme, die 8 GB RAM benötigen

Wichtige Spezifikationen

• Speichertyp: DDR3
• Kapazität: 8 GB
• Taktfrequenz: 1333 MHz
• CAS-Latenz: CL5
• Spannung: 1,5 V
• Formfaktor: 240-Pin-DIMM

Verwendung

Schalten Sie den Computer aus und trennen Sie ihn vom Stromnetz, bevor Sie das Speichermodul installieren. Öffnen Sie das Gehäuse, suchen Sie einen freien 240-Pin-DIMM-Steckplatz auf einem Motherboard, das DDR3-Speicher unterstützt, richten Sie das Modul an der Kerbe des Steckplatzes aus und drücken Sie es fest ein, bis die Halteklammern einrasten. Bringen Sie das Gehäuse wieder an, schließen Sie die Stromversorgung an und überprüfen Sie, ob das System den installierten Speicher im BIOS oder Betriebssystem erkennt.

Empfehlungen

Installieren Sie Module in gleichen Paaren, wenn das Motherboard Dual-Channel-Betrieb erfordert. Konsultieren Sie das Motherboard-Handbuch für unterstützte Speicherkonfigurationen und maximale Kapazität. Fassen Sie das Modul nur an den Kanten an und beachten Sie die Vorsichtsmaßnahmen gegen elektrostatische Entladung.