ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P P-Channel Power MOSFET -60V 18A DPAK

Der ALLNET BrickRknowledge p-MOS SPD18P06P ist ein leistungsstarker P-Kanal Power MOSFET, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Hergestellt von Infineon Technologies, verfügt dieses Bauteil über eine Drain-Source-Spannung von -60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von -18 A, was es für eine Vielzahl elektronischer Schaltungen geeignet macht. Es ist in einem DPAK (TO-252) Surface-Mount-Gehäuse untergebracht und bietet zuverlässige Leistung in kompakten Designs.

Vorteile

Dieser MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (65 mΩ bei Vgs=-10V) für reduzierte Leistungsverluste, hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste thermische Leistung mit einer Verlustleistung von 60 W. Die SIPMOS®-Technologie gewährleistet hervorragende Effizienz und Langlebigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Geeignet für

• Stromversorgungsschaltungen
• DC-DC-Wandler
• Motorsteuerung
• Batteriemanagementsysteme
• Lastschalten

Wichtige Spezifikationen

• Bauteiltyp: P-Kanal Power MOSFET
• Drain-Source-Spannung (Vds): -60 V
• Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): -18 A (bei Tc=25°C)
• Einschaltwiderstand (Rds(on)): 65 mΩ (bei Vgs=-10V, Id=-14A)
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20 V
• Verlustleistung (Pd): 60 W (bei Tc=25°C)
• Gehäusetyp: DPAK (TO-252)
• Montageart: Surface Mount
• Betriebstemperaturbereich: -55 bis 175 °C
• Gate-Ladung (Qg): 25 nC (typisch)
• Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)): -2,1 V (min)
• Eingangskapazität (Ciss): 1000 pF (typisch)
• Ausgangskapazität (Coss): 200 pF (typisch)
• Rückwirkungskapazität (Crss): 100 pF (typisch)
• Anzahl der Pins: 3
• Transistor-Polarität: P-Kanal
• Technologie: SIPMOS®

Empfehlungen

Für optimale Leistung sorgen Sie für eine angemessene Kühlung und befolgen Sie die Herstellerrichtlinien für Gate-Ansteuerung und PCB-Layout. Dieses Bauteil ist ideal für Ingenieure und Hobbyisten, die einen zuverlässigen P-Kanal MOSFET für mittlere Leistungsanwendungen suchen.