ALLNET ALL-BRICK-0041 25V N-Channel MOSFET Transistor DPAK

Der ALLNET ALL-BRICK-0041 ist ein leistungsstarker N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im DPAK (TO-252) Oberflächenmontagegehäuse. Entwickelt für effizientes Schalten und Regeln von Leistung, liefert dieser Transistor einen kontinuierlichen Drainstrom von 20 A mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 10 mΩ, ideal für DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen und Leistungsmanagement-Anwendungen.

Vorteile

Niedriger Einschaltwiderstand (Rds(on) = 10 mΩ) minimiert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz. Schnelle Schaltzeiten mit typischer Einschaltverzögerung von 10 ns und Ausschaltverzögerung von 20 ns ermöglichen Hochfrequenzbetrieb. RoHS- und halogenfrei konform, gewährleistet Umweltsicherheit.

Geeignet für

• Stromversorgungsschaltungen
• DC-DC-Wandler
• Motorsteuerungstreiber
• Batteriemanagementsysteme
• Lastschalten

Wichtige Spezifikationen

• Transistortyp: N-Kanal-MOSFET
• Drain-Source-Spannung (Vds): 25 V
• Kontinuierlicher Drainstrom (Id): 20 A (bei 25°C)
• Einschaltwiderstand (Rds(on)): 10 mΩ (bei Vgs=10V, Id=10A)
• Gate-Source-Spannung (Vgs): ±20 V
• Gate-Schwellenspannung (Vgs(th)): 2 V (typisch)
• Leistungsaufnahme (Pd): 30 W (bei 25°C)
• Gehäusetyp: DPAK (TO-252)
• Montageart: Oberflächenmontage
• Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
• Anzahl der Pins: 3
• Kanalmodus: Anreicherungsmodus
• Eingangskapazität (Ciss): 1000 pF (typisch)
• Ausgangskapazität (Coss): 200 pF (typisch)
• Rückwirkungskapazität (Crss): 50 pF (typisch)
• Einschaltverzögerungszeit (td(on)): 10 ns (typisch)
• Ausschaltverzögerungszeit (td(off)): 20 ns (typisch)
• Body-Dioden-Durchlassspannung (Vsd): 1,2 V (typisch)
• RoHS-konform: Ja
• Halogenfrei: Ja

Empfehlungen

Für optimale thermische Leistung sorgen Sie für ausreichende PCB-Kupferfläche und erwägen Sie Kühlkörper bei Betrieb nahe der maximalen Leistungsaufnahme. Geeignet für automatisierte SMT-Bestückungsprozesse.