ALLNET BrickRknowledge Transistor n-MOS IPD079N06L3

Der ALLNET BrickRknowledge Transistor n-MOS IPD079N06L3 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Leistungsmanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit der OptiMOS™ 3-Technologie von Infineon bietet dieser Transistor einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten, ideal für DC-DC-Wandler, Motorsteuerungen und Stromversorgungsschaltungen.

Vorteile

Ein niedriger Rds(on) von 7,9 mΩ minimiert Leitungsverluste, während die Drain-Source-Spannung von 60 V eine robuste Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Das oberflächenmontierte TO-252 (DPAK)-Gehäuse vereinfacht die PCB-Bestückung und spart Platz.

Geeignet für

• Leistungsmanagement in industriellen und automobilen Systemen
• DC-DC-Wandler und Spannungsregler
• Motorsteuerungs- und Antriebsschaltungen
• Batterieschutz und Lastschaltung

Wichtige Spezifikationen

• Transistortyp: N-Kanal-MOSFET
• Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V
• Dauer-Drainstrom (Id @ 25°C): 50 A
• Einschaltwiderstand (Rds(on) max @ Vgs=10V): 7,9 mΩ
• Gate-Source-Spannung (Vgs max): ±20 V
• Gate-Ladung (Qg typ @ Vgs=10V): 20 nC
• Gehäuse: TO-252 (DPAK)
• Montageart: Oberflächenmontage
• Betriebstemperaturbereich: -55 bis 175 °C

Empfehlungen

Für optimale thermische Leistung sorgen Sie für ausreichende Kupferfläche auf der Platine zur Wärmeableitung. Dieses Bauteil ist RoHS-konform und für bleifreie Lötprozesse geeignet.